Hybrid Bonding中的Hybrid是指除了在室温下凹陷下去的铜bump完成键合，两个Chip面对面的其它非导电部分也要贴合。因此，Hybrid Bonding在芯粒与芯粒或者wafer与wafer之间是没有空隙的，不需要用环氧树脂进行填充。
Hybrid Bonding是近几年被叫响的，在之前业界通常称其为DBI（Direct Bond Interconnect，直接键合连接），它是在20世纪80年代中期由Paul Enquist，Q.Y. Tong和Gill Fountain在三角研究所（RTI）的实验室首次构思，DBI因其优雅和简洁而成为键合大海上的明灯。他们三个后来在2000年成立了一家叫Ziptronix的公司，并于2005年实现了10um bump间距用DBI技术连接的铝布线层，接着又在2011年发布2um bump间距用DBI技术完成wafer to wafer 连接。2015年Ziptronix被Xperi （前Tessera）收购。在2019年，DBI/Hybrid Bonding技术由Xperi （前Tessera）完成了最终的专利布局，其本身没有量产的产品推出。
晶圆级封装 (WLP)
焊接和晶圆或基板上的被动晶圆的焊接
可处理的晶圆尺寸可达12英吋及以上
Cam-X 和 Secs-Gem 兼容
可从晶圆、华夫盘、盘、tape和reel 上直接抓取
完全控制 Flip Chip 或 low profile passives 的放置力度
完全可追溯
微间距铜柱植球
MCM 和 SIP/FC BGA/FC-CSP/ FC-记忆体/FCOB
Flip Chip 焊接速度可达 27,000 cph (IPC)
Chip Shooting 速度可达 140,000 cph (IPC)
高质量的抓取和放置工艺
贴片和晶圆级封装精度可达 7 微米
完全控制 Flip Chip 或 low profile passives 的放置力度
可从晶圆、华夫盘、盘、tape和reel 上直接抓取
POP (Package-on-Package)
业界最小的设备占地面积，Die or BGA stacking 产能最高
可从晶圆、华夫盘、盘、tape和reel 上直接抓取
完全控制 Flip Chip 或 low profile passives 的放置力度
Linear flux unit 更换简便
Scalable throughput
Passive placement speed up to 121,000 CPH (IPC9850)
Flipchip bonding up to 27,000 CPH
Accuracy
7 micron for FC / Dies
15 micron for Passives
Cost of Ownership
Minimal maintenance cost
Lowest energy consumption
Passive and Die placement in one pass
Scalable Technology
100 % Active placement force control
Defect rates lower than 1 DPM
Tape, tray, waffle, wafer feeding, dip fluxing
Full Die traceability (SECS/GEM, CAMX)
Hybrid
SINGLE PASS PASSIVE AND DIE PLACEMENT
Industry 4.0 ready
IPC-Hermes-9852
IPC-CFX
SECS/GEM
CAMX
